申请/专利权人：哈尔滨工业大学

申请日：2019-12-27

公开（公告）日：2021-06-15

公开（公告）号：CN111073499B

主分类号：C09D179/04(20060101)

分类号：C09D179/04(20060101);C09D7/62(20180101);G09F17/00(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.06.15#授权;2020.05.22#实质审查的生效;2020.04.28#公开

摘要：本发明公开了一种深空探测器用红旗标识的制备方法，属于航空航天材料制备技术领域。本发明解决现有深空探测器用标识在深空极端环境下易产生裂纹、降解甚至脱落等问题。本发明基于有机无机杂化体系和界面调控理论，制备得到POSS‑CNT‑ZnO三元复合功能填料，使用该填料对氰酸酯树脂进行改性制备涂层，并将其应用于深空极端环境下探测器的外部标识。涂层中各组分在界面处通过电荷传递和热传递过程展示出良好的协同效应，显著提升涂层的力学稳定性和抗辐照性能。本发明制得的改性氰酸酯涂层是集抗冷热交变、抗电子辐照、抗原子氧、耐紫外辐照和真空低污染于一体深空探测器用标识，该涂层制备方法也可广泛应用于探测器外露部件防护。

主权项：1.一种深空探测器用红旗标识的制备方法，其特征在于，该标识包括基板和涂层，涂层喷涂在基板表面，所述的基板为铝合金板、钛合金板、聚酰亚胺板或碳纤维复合板，所述的涂层包括以下重量份原料组分：5份-20份的八苯基-POSS，0.5份-1份的碳纳米管，300份-380份的氰酸酯树脂，40份-60份的颜料，所述的颜料为液态或固态粉末；该方法包括以下步骤：步骤一、使用碳纳米管改性八苯基-POSS，获得碳纳米管修饰的八苯基-POSS，简称为POSS-CNT；步骤二、对POSS-CNT进行原子层沉积处理，获得镀有ZnO膜层的POSS-CNT，简称为POSS-CNT-ZnO；步骤三、使用氰酸酯和步骤二制得的POSS-CNT-ZnO制备胶液，并对胶液进行真空脱气处理，然后将胶液和颜料分别使用乙酸乙酯稀释剂稀释，并将稀释后得到的两种稀释液混合，机械搅拌均匀后胶体磨研磨，获得喷涂漆液；步骤四，使用气动喷枪将步骤三获得的喷涂漆液喷涂在基板上，然后将基板放入烘箱中进行固化，获得深空探测器用标识；所述的步骤二的具体操作过程为：将步骤一制得的POSS-CNT放入研钵中研磨至粒径为10nm～100nm，然后将其放入原子层沉积仪的沉积腔体内，将沉积腔体抽至4×10-3Torr～6×10-3Torr，再通入氮气至腔体压力为0.1Torr～0.2Torr；同时保持沉积腔体内温度为100℃～200℃，在POSS-CNT表面进行原子层周期沉积生长，重复执行100～500个生长沉积周期，获得POSS-CNT-ZnO，其中镀ZnO膜层的厚度为30nm～60nm；所述的每个生长沉积周期为：1向沉积腔体内以脉冲形式注入锌源，脉冲时间t1为0.01s～0.03s；2切断进气阀和排气阀进行反应，反应时间t2为1s～5s；3打开进气阀和排气阀，利用氮气进行吹扫，吹扫时间t3为30s～60s；4向沉积腔体内以脉冲形式注入水源，水源温度为室温，脉冲时间t4为0.01s～0.03s；5切断进气阀和排气阀进行反应，反应时间t5为1s～5s，形成ZnO膜层；6打开进气阀和排气阀，利用氮气进行吹扫，吹扫时间t6为30s～60s，完成一个沉积生长周期。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 哈尔滨工业大学 一种深空探测器用红旗标识的制备方法

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