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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日：2022-05-30
公开（公告）日：2022-09-06
公开（公告）号：CN115020379A
主分类号：H01L23/544
分类号：H01L23/544;H01L21/66
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2022.09.23#实质审查的生效;2022.09.06#公开
摘要：本发明提供一种HKMG寄生电容测试结构的版图，包括伪栅图形；设于伪栅图形间及伪栅图形上的多个接触孔图形；设于伪栅图形上且长度小于伪栅图形的伪栅有源区图形，伪栅有源区图形与接触孔图形不重叠。本发明的版图中设计的电容结构不增加任何工艺成本，且有效降低金属栅凹陷效应造成的工艺缺陷，便于实际生产应用，适用于后段金属连线寄生电容值的提取，有效计算氧化层电学厚度。
主权项：1.一种HKMG寄生电容测试结构的版图，其特征在于，包括：伪栅图形；设于所述伪栅图形间及所述伪栅图形上的多个接触孔图形；设于所述伪栅图形上且长度小于所述伪栅图形的伪栅有源区图形，所述伪栅有源区图形与所述接触孔图形不重叠。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 HKMG寄生电容测试结构的版图
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皖公网安备 34010402703815号