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一种新型二维CrX2材料的制备方法 

申请/专利权人:浙江大学

申请日:2021-03-15

公开(公告)日:2022-09-20

公开(公告)号:CN115074695A

主分类号:C23C16/30

分类号:C23C16/30;C23C16/44;C23C16/46

优先权:

专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态:2024.04.12#发明专利申请公布后的驳回;2022.10.11#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要:本发明公开了一种新型二维CrX2X=S或Se材料的制备方法,包括:1对反应腔室抽真空,使本底真空达到1.0x100Pa–1.0x10‑3Pa;2将铬源与添加剂材料混合在一起,使混合物形成第一气态前驱体,处理X源使其形成第二气态前驱体,其中采用CrCl3,CrBr3或CrI3作为铬源,硫粉、硒粉或H2S作为X源;3在还原性或氧化性气氛下,将第一气态前驱体与第二气态前驱体传质到衬底上进行化学反应,形成二维CrX2材料,X=S或Se,所述化学反应时衬底采用分段升温及恒温处理。本发明提供的制备方法可以有效提高制备CrX2材料的产率。

主权项:1.一种新型二维CrX2材料的制备方法,其特征在于,包括:1对反应腔室抽真空,使本底真空达到1.0x100Pa–1.0x10-3Pa;2将铬源与能够降低CrX2形成能的添加剂材料混合在一起,使混合物形成第一气态前驱体,处理X源使其形成第二气态前驱体,其中采用CrCl3,CrBr3或CrI3作为铬源,硫粉、硒粉或H2S作为X源;3在还原性或氧化性气氛下,将第一气态前驱体与第二气态前驱体传质到衬底上进行化学反应,形成二维CrX2材料,X=S或Se,所述化学反应时衬底采用分段升温及恒温处理。

全文数据:

权利要求:

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