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申请/专利权人：电子科技大学
申请日：2023-03-21
公开（公告）日：2023-09-01
公开（公告）号：CN116685065A
主分类号：H05K3/10
分类号：H05K3/10;H05K3/16;H05K3/18;H05K3/02
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2023.09.19#实质审查的生效;2023.09.01#公开
摘要：本发明属于射频器件技术领域，具体涉及一种基于lift‑off工艺多层膜人工导体图形化的制备方法。本发明的创新点在于：采用热压转印材料对基板进行图形化，为后续成膜的一次性剥离工艺提供了基础。1与传统的剥离lift‑off工艺相比，本发明可以用于具有难溶Ti或Cr附着层的大面积金属导体材料的图形化，无须采用价格昂贵的光刻胶，却依然保持剥离工艺的特点，且可用于大部分射频无源器件的图形化，可对10微米及以上尺寸的器件进行加工；2与传统的纯铜刻蚀工艺相比，本发明适用于由电化学沉积工艺得到的磁性M‑Cu及其合金多层膜，边界清洗，避免对器件结构的过度刻蚀；同时本发明对基板材料的要求较低，可适用于陶瓷、玻璃、低阻硅、高阻硅以及PCB板。
主权项：1.一种基于lift-off工艺多层膜人工导体图形化的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、基片处理；S2、制备热压转印材料：将射频无源器件进行图形化，并将图形翻印在热压转印材料上；S3、采用热压转印机将热压转印材料上的图形转移到基片上，得到带有初始化图形的基板；S4、在基板上依次溅射Ti种子层和Cu种子层；S5、在基板上电镀周期性多层膜结构[M-CuCu]n，M为Ni、Fe、Co中的一种或两种，得到基于多层膜人工导体材料的初始无源器件；S6、将基板放入有机溶剂中，并通过超声波发生器进行震荡，待基板上的热转印材料彻底溶于丙酮后，得到射频无源器件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种基于lift-off工艺多层膜人工导体图形化的制备方法
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