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【发明授权】基于相变原理的双频带到宽频带的太赫兹吸收开关_东北石油大学_202011015601.1 

申请/专利权人:东北石油大学

申请日:2020-09-24

公开(公告)日:2023-10-27

公开(公告)号:CN112162444B

主分类号:G02F1/17

分类号:G02F1/17;H01P1/10;H01Q17/00;H01Q15/00

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.10.27#授权;2021.01.19#实质审查的生效;2021.01.01#公开

摘要:本发明提出的一种基于相变原理的双频带到宽频带的太赫兹吸收开关,涉及太赫兹频段的电磁功能吸收材料技术领域,其由金属反射镜层、介质层和人工电磁材料结构层的夹层结构构成,所述的人工电磁材料层是由周期性排列的金属相变材料微纳结构的基本单元构成,基本单元由相互正交的开口环谐振器Ⅰ与开口环谐振器Ⅱ构成,开口环谐振器Ⅰ和开口环谐振器Ⅱ上分别设有相变材料块Ⅰ和相变材料块Ⅱ。与现有技术相比本发明适用于更宽的工作频谱调制范围:基于相变原理的吸收开关器件,能够实现双频带到宽频带的太赫兹吸收开关功能,可应用温度传感;高效率的吸收效应:广泛应用于能量吸收;更低的制造成本:该器件体积小,结构简单,易于制备。

主权项:1.基于相变原理的双频带到宽频带的太赫兹吸收开关,包括连续的金属反射镜层2、介质层1和人工电磁材料结构层3,所述的介质层1位于金属反射镜层2和人工电磁材料结构层3之间,其特征在于所述的人工电磁材料结构层3是由周期性排列的金属材料微纳结构的基本单元构成,所述的基本单元由开口环谐振器Ⅰ4和开口环谐振器Ⅱ5构成,开口环谐振器Ⅰ4和开口环谐振器Ⅱ5均为耦合金属开口环谐振器,开口环谐振器Ⅰ4与开口环谐振器Ⅱ5相互分离且相互正交,开口环谐振器Ⅰ4和开口环谐振器Ⅱ5上分别设有相变材料块Ⅰ6和相变材料块Ⅱ7;开口环谐振器Ⅰ4和开口环谐振器Ⅱ5均为环形、且长边为c、短边为b,在两个长边c之间设有连接桥,连接桥位于c2处,连接桥将开口环谐振器Ⅰ4和开口环谐振器Ⅱ5分别分隔成两个副环,开口环谐振器Ⅰ4和开口环谐振器Ⅱ5上均设有两个开口,其中一个开口位于其中一个短边的中心、且此短边位于其中的一个副环内,另一个开口位于另一个副环内、且位于其中的一个长边上;相变材料块Ⅰ6和相变材料块Ⅱ7分别位于开口环谐振器Ⅰ4的长边开口处和开口环谐振器Ⅱ5的短边开口处。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 东北石油大学 基于相变原理的双频带到宽频带的太赫兹吸收开关

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