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申请/专利权人：宏茂微电子(上海)有限公司
申请日：2023-09-28
公开（公告）日：2023-12-26
公开（公告）号：CN117293114A
主分类号：H01L23/495
分类号：H01L23/495;H01L21/48;H01L21/60
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.01.12#实质审查的生效;2023.12.26#公开
摘要：本发明涉及芯片封装技术领域，具体地说是一种DFN与SOP的复合封装结构及方法。一种DFN与SOP的复合封装结构，包括基岛，其特征在于：所述的基岛外侧设有半蚀刻区，半蚀刻区外侧设有蚀刻区，位于左右两侧的蚀刻区上设有内缩引脚，位于上下两侧的蚀刻区上设有外伸引脚。同现有技术相比，将DFN和SOP产品功能结合一起，提高产品兼容性和功能多样性，减少重复封装；两种功能一次封装，提高了生产效率和降低了生产成本；降低外接IC主板封装空间占用率，原来需要两处安装空间，现在仅需一处；丰富了半导体封装类型，加快封装技术发展。
主权项：1.一种DFN与SOP的复合封装结构，包括基岛，其特征在于：所述的基岛（1）外侧设有半蚀刻区（2），半蚀刻区（2）外侧设有蚀刻区（3），位于左右两侧的蚀刻区（3）上设有内缩引脚（4），位于上下两侧的蚀刻区（3）上设有外伸引脚（5）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 宏茂微电子(上海)有限公司 一种DFN与SOP的复合封装结构及方法
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