申请/专利权人:东北师范大学
申请日:2023-12-23
公开(公告)日:2024-03-01
公开(公告)号:CN117626422A
主分类号:C30B25/00
分类号:C30B25/00;C30B29/46;C30B29/64;B82Y30/00;B82Y40/00;B82Y20/00
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.23#实质审查的生效;2024.03.01#公开
摘要:本发明公开了一种预处理生长源CVD法制备的二维GaS,所述的预处理生长源CVD法包括:1)预处理生长源Ga2S3:Ga2S3粉末在Ar和H2气氛下煅烧,得包含GaS和Ga2S3的预处理生长源;2)步骤1)得到的预处理生长源加入Ga2S3粉末,得反应源混合粉末;3)将步骤2)得到的反应源混合粉末作为生长源,采用CVD法制备二维GaS;预烧步骤的烧制时间、生长温度等条件可以影响CVD法制备获得的GaS单晶材料的尺寸及厚度。通过该方法可以制备大尺寸、层数均匀的二维GaS单晶及薄膜,促进蓝紫光范围的光电子器件、场效应晶体管、柔性电子器件等应用的进一步发展。
主权项:1.预处理生长源CVD法制备的二维GaS,其特征在于:所述的预处理生长源CVD法包括:1)预处理生长源Ga2S3:Ga2S3粉末在Ar和H2气氛下煅烧,得包含GaS和Ga2S3的预处理生长源;2)步骤1)得到的预处理生长源加入Ga2S3粉末,得反应源混合粉末;3)将步骤2)得到的反应源混合粉末作为生长源,采用CVD法制备二维GaS。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 东北师范大学 一种预处理生长源CVD法制备的二维GaS
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