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申请/专利权人：迪亚罗科技
申请日：2019-06-18
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN112384640B
主分类号：C23C16/27
分类号：C23C16/27;C23C16/517;H01J37/32
优先权：["20180705 BE 2018/5473"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2021.03.09#实质审查的生效;2021.02.19#公开
摘要：本发明涉及通过化学气相沉积对合成的改进，尤其涉及金刚石合成。为了增加活性物质之间碰撞的机会，提出了通过压缩沉积衬底附近的等离子体来减少沉积金刚石层所需的时间。
主权项：1.一种在化学气相沉积腔室内合成衬底上两个等离子体发生电极之间合成材料的方法，该方法包括：‐将含有待合成材料原子的载气引入所述腔室，并且‐在衬底附近产生等离子体以激活含有待合成材料原子的载气的原子，其特征在于，通过在所述两个电极之间设置具有中空环状结构的装置来压缩所述等离子体以提高所述衬底附近反应性待合成材料碳原子的体积密度，从而提高待合成材料的沉积速度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 迪亚罗科技 基于CVD的金刚石合成方法及装置
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