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申请/专利权人：中国地质大学(武汉)
申请日：2024-03-20
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118201473A
主分类号：H10N70/00
分类号：H10N70/00;H10N70/20
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明的一种含氧化铜和CVD合成含硼金刚石层的忆阻器及其制备方法。本发明涉及微电子器件技术领域。本发明的忆阻器包括由下至上依次设置的底电极层、CVD合成含硼金刚石层、氧化铜层和顶电极层。通过制备氧化铜层和CVD合成含硼金刚石层的忆阻器，氧化铜层和CVD合成含硼金刚石层之间肖特基接触和金刚石结构高稳定性的组合下，以实现在极低的3mV电脉冲下的突触功能响应。
主权项：1.一种含氧化铜和CVD合成含硼金刚石层的忆阻器，其特征在于，包括由下至上依次设置的底电极层、CVD合成含硼金刚石层、氧化铜层和顶电极层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国地质大学(武汉) 一种含氧化铜和CVD合成含硼金刚石层的忆阻器及其制备方法
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