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申请/专利权人：西安交通大学
申请日：2024-03-01
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118201472A
主分类号：H10N70/00
分类号：H10N70/00;H10N70/20
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：一种受磁场调控的可植入柔性忆阻器的制备方法，步骤一：清洗柔性PET衬底；步骤二：采用磁控溅射方法，在清洗后的柔性PET衬底上溅射沉积Ti电极；步骤三：采用磁控溅射方法，在步骤二产物上沉积BaTiO3；步骤四：采用磁控溅射方法，在步骤三沉积的BaTiO3上沉积Fe2O3薄膜；步骤五：利用磁控溅射方法制备上电极Cu：在步骤四Fe2O3薄膜表面覆盖具有孔径1～2mm的Cu金属掩模版，最终得到受磁场调控的可植入柔性忆阻器；本发明以PET柔性材料作为衬底以符合生物相容性要求，利用BaTiO3、Fe2O3薄膜作为中间层以实现对磁场的响应，使用Cu作为器件上电极，Ti作为器件下电极，得到了一种对磁场敏感的柔性忆阻器件，进一步提高可植入柔性忆阻器件在健康监测、手术医疗等医学方面的应用。
主权项：1.一种受磁场调控的可植入柔性忆阻器的制备方法，其特征在于，步骤如下：步骤一：清洗柔性PET衬底；步骤二：采用磁控溅射方法，在清洗后的柔性PET衬底上溅射沉积Ti电极；步骤三：采用磁控溅射方法，在步骤二产物上沉积BaTiO3；步骤四：采用磁控溅射方法，在步骤三沉积的BaTiO3上沉积Fe2O3薄膜；步骤五：利用磁控溅射方法制备上电极Cu：在步骤四Fe2O3薄膜表面覆盖具有孔径1～2mm的Cu金属掩模版，最终得到受磁场调控的可植入柔性忆阻器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安交通大学 一种受磁场调控的可植入柔性忆阻器的制备方法
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