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申请/专利权人：拓荆科技股份有限公司
申请日：2022-12-06
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118186373A
主分类号：C23C16/50
分类号：C23C16/50;H01L21/02;C23C16/56;C23C16/40
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本申请涉及通过CVD方法形成高质量膜的方法。具体而言，本申请提供一种在基板上沉积可流动性膜的方法，所述方法包括：将有机硅前体引入到沉积室中，所述沉积室包含基板；在远程等离子体中产生至少一种含氮自由基；将所述含氮自由基引入到所述沉积室中；使所述含氮自由基和所述有机硅前体反应，以产生聚硅氮烷链，所述聚硅氮烷链沉积在所述基板上并且在所述基板的表面上是可流动的，形成所述可流动性膜。本申请的方法可产生聚硅氮烷链，其在基板的表面上是可流动的，形成可流动性膜。该可流动性膜可快速填充孔洞或缝隙，避免孔洞或缝隙形成永久缺陷。
主权项：1.一种在基板上沉积可流动性膜的方法，所述方法包括：将有机硅前体引入到沉积室中，所述沉积室包含基板；在远程等离子体中产生至少一种含氮自由基；将所述含氮自由基引入到所述沉积室中；使所述含氮自由基和所述有机硅前体反应，以产生聚硅氮烷链，所述聚硅氮烷链沉积在所述基板上并且在所述基板的表面上是可流动的，形成所述可流动性膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 拓荆科技股份有限公司 通过CVD方法形成高质量膜的方法
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