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一种考察等离子体喷涂过程熔滴沉积铺展习性的装置及方法 

申请/专利权人:中国科学院上海硅酸盐研究所

申请日:2022-11-02

公开(公告)日:2024-05-07

公开(公告)号:CN117987761A

主分类号:C23C4/134

分类号:C23C4/134;G01J5/00;C23C4/11

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.24#实质审查的生效;2024.05.07#公开

摘要:本发明涉及一种考察等离子体喷涂过程熔滴沉积铺展习性的装置及方法。所述考察等离子体喷涂过程熔滴沉积铺展习性的装置包括:产生熔滴束的热喷涂喷枪;作为熔滴沉积衬底的工件;设置在热喷涂喷枪和工件之间的熔滴束流约束单元;用于工件加热的感应加热单元;用于监测工件温度的非接触式红外测温单元;以及用于接收非接触式红外测温单元温度信号并通过调控工件温度的反馈控温单元。利用本发明装置,可以实现在短时间内迅速提升基体温度以避免基体表面严重氧化的目的。

主权项:1.一种考察等离子体喷涂过程熔滴沉积铺展习性的装置,其特征在于,包括:产生熔滴束的热喷涂喷枪;作为熔滴沉积衬底的工件;设置在热喷涂喷枪和工件之间的熔滴束流约束单元;用于工件加热的感应加热单元;用于监测工件温度的非接触式红外测温单元;以及用于接收非接触式红外测温单元温度信号并通过调控工件温度的反馈控温单元。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种考察等离子体喷涂过程熔滴沉积铺展习性的装置及方法

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