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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日：2024-02-28
公开（公告）日：2024-05-24
公开（公告）号：CN118073191A
主分类号：H01L21/308
分类号：H01L21/308;H01L21/306;H10B43/35
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.11#实质审查的生效;2024.05.24#公开
摘要：本发明提供一种SONOS存储器多晶硅栅的刻蚀工艺集成方法，提供衬底，衬底上至少包括一SONOS存储区，一选择管区和一外围逻辑区，SONOS存储区，选择管区和外围逻辑区上形成有第一栅介质层，SONOS存储区上的第一栅介质层上形成有第一栅极多晶硅层；在衬底上形成覆盖SONOS存储区，选择管区和外围逻辑区的第二栅介质层；利用淀积、研磨形成位于第二栅介质层上的第二栅极多晶硅层，在第二多晶层上依次形成第一、二硬掩膜层；利用光刻、刻蚀图形化第一、二硬掩膜层及其下方的第二栅极多晶硅层，以形成位于SONOS存储区，选择管区和外围逻辑区上的栅极结构；对衬底进行第一次多晶硅再氧化修复。本发明在不影响多晶硅栅刻蚀的情况下避免了高能量轻掺杂漏离子注入的影响。
主权项：1.一种SONOS存储器多晶硅栅的刻蚀工艺集成方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上至少包括一SONOS存储区，一选择管区和一外围逻辑区，所述SONOS存储区，选择管区和外围逻辑区上形成有第一栅介质层，所述SONOS存储区上的所述第一栅介质层上形成有第一栅极多晶硅层；步骤二、在所述衬底上形成覆盖所述SONOS存储区，选择管区和外围逻辑区的第二栅介质层；步骤三、利用淀积、研磨形成位于所述第二栅介质层上的第二栅极多晶硅层，在所述第二多晶层上依次形成第一、二硬掩膜层；步骤四、利用光刻、刻蚀图形化所述第一、二硬掩膜层及其下方的所述第二栅极多晶硅层，以形成位于所述所述SONOS存储区，选择管区和外围逻辑区上的栅极结构；步骤五、对所述衬底进行第一次多晶硅再氧化修复；步骤六、利用离子注入形成轻掺杂漏；步骤七、对所述衬底进行第二次多晶硅再氧化修复；步骤八、去除所述第二硬掩膜层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 SONOS存储器多晶硅栅的刻蚀工艺集成方法
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