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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
申请日：2024-03-05
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118251008A
主分类号：H10B41/40
分类号：H10B41/40;H10B41/30;H10B41/50;H01L21/28
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明公开了一种先浮栅工艺制造ETOX闪存的方法，包括步骤：依次形成隧穿介质层、浮栅和第一保护层。进行外围有源区定义并进行刻蚀形成多个第一浅沟槽。在第一浅沟槽的内侧表面形成第一内衬氧化层。依次形成第一BARC层、第二APF层和第三无氮DARC层。进行单元有源区定义并进行刻蚀形成多个第二浅沟槽。在第二浅沟槽的内侧表面形成第二内衬氧化层。在第一和第二浅沟槽中同时填充浅沟槽氧化层。本发明能同时克服浅沟槽的内衬氧化层的形成工艺对外围有源区的圆化不足以及对单元有源区的浮栅氧化损耗过大的缺陷，从而同时改善外围器件和闪存单元的性能。
主权项：1.一种先浮栅工艺制造ETOX闪存的方法，其特征在于，包括如下步骤：在半导体衬底表面依次形成隧穿介质层、浮栅和第一保护层；进行外围有源区定义并对所述半导体衬底进行刻蚀形成多个第一浅沟槽，所述第一浅沟槽位于外围区，各所述第一浅沟槽所环绕区域的所述半导体衬底组成所述外围有源区；在所述第一浅沟槽的内侧表面形成第一内衬氧化层，所述第一内衬氧化层的形成工艺保证对所述第一浅沟槽的顶角的圆化到第一预期状态，所述第一预期状态保证后续在所述外围有源区的边缘形成的外围器件的栅介质层的厚度满足要求；依次形成第一BARC层、第二APF层和第三无氮DARC层，所述第一BARC层将各所述第一浅沟槽完全填充并延伸到所述第一浅沟槽外的所述第一保护层的表面上，所述第二APF层形成于所述第一BARC层的表面，所述第三无氮DARC层形成于所述第二APF层的表面；进行单元有源区定义并对所述半导体衬底进行刻蚀形成多个第二浅沟槽，所述第二浅沟槽位于单元区，各所述第二浅沟槽所环绕区域的所述半导体衬底组成所述单元有源区；在所述第二浅沟槽的内侧表面形成第二内衬氧化层，所述第二内衬氧化层的厚度小于所述第一内衬氧化层的厚度，通过减少所述第二内衬氧化层的厚度减少所述单元有源区顶部的所述浮栅的厚度损耗；在所述第一浅沟槽和所述第二浅沟槽中同时填充浅沟槽氧化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 先浮栅工艺制造ETOX闪存的方法
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