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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
申请日：2023-01-09
公开（公告）日：2023-04-18
公开（公告）号：CN115985841A
主分类号：H01L21/762
分类号：H01L21/762;H01L21/316
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2023.05.05#实质审查的生效;2023.04.18#公开
摘要：本发明提供一种ETOXNOR型闪存的STI结构的制作方法，包括提供衬底，在衬底表面形成有垫氧层和硬掩膜层；刻蚀硬掩膜层、垫氧层和衬底，形成浅沟槽；在浅沟槽表面生长第一线形氧化层；利用氢氟酸刻蚀除去第一线形氧化层；在浅沟槽表面生长第二线形氧化层；采用HDP工艺对浅沟槽进行填充，并快速退火RTA；将浅沟槽进行平坦化处理，形成STI结构。本发明在浅沟槽表面进行两次线形氧化层的生长，同时采用高密度等离子体化学气相沉积HDPCVD工艺对浅沟槽进行填充，在保证有源区边角圆化基础上降低HDPDEP等离子体对有源区的影响，同时规避HARPDEP造成的浮栅FG多晶硅残留风险以及水汽退火带来的有源区消耗，提升了ETOXNOR型闪存器件的性能。
主权项：1.一种ETOXNOR型闪存的STI结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、提供衬底，所述衬底表面形成有垫氧层和硬掩膜层；步骤二、刻蚀所述硬掩膜层、所述垫氧层和所述衬底，形成浅沟槽；步骤三、在所述浅沟槽表面生长第一线形氧化层，所述第一氧化层的厚度为30A；步骤四、利用氢氟酸刻蚀除去所述第一线形氧化层；步骤五、在所述浅沟槽表面生长第二线形氧化层，所述第二线形氧化层的厚度为86A；步骤六、采用HDP工艺对所述浅沟槽进行填充，并快速退火RTA；步骤七、将所述浅沟槽进行平坦化处理，形成STI结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 一种ETOX NOR型闪存的STI结构的制作方法
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