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申请/专利权人：天狼芯半导体(成都)有限公司
申请日：2023-12-14
公开（公告）日：2024-04-09
公开（公告）号：CN117855250A
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.04.09#公开
摘要：本发明公开了一种具有深STI的LDMOS及制备方法，该LDMOS包括STI；所述STI沿第一方向的长度大于第一阈值；所述STI的截面的形状包括：梯形；所述STI的填充材料包括：二氧化硅。本发明在传统LDMOS结构上进行改进，通过增加漏极与源极间STI的深度使得栅极和导电通道的局部电场降低，提高了LDMOS器件的击穿电压；通过增加STI的深度而并非增加STI的长度可以在提高LDMOS击穿电压的同时，保持LDMOS器件的尺寸，降低了制造成本。
主权项：1.一种具有深STI的LDMOS，其特征在于，包括STI；所述STI沿第一方向的长度大于第一阈值；所述STI的截面的形状包括：梯形；所述STI的填充材料包括：二氧化硅。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天狼芯半导体(成都)有限公司 一种具有深STI的LDMOS及制备方法
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