申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2024-03-05

公开（公告）日：2024-06-25

公开（公告）号：CN118248730A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L23/48;H01L21/768;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.25#公开

摘要：本发明公开了一种LDMOS器件，在漂移区的选定区域中形成有漂移区场氧；栅极结构的第二侧还延伸到漂移区场氧的顶部表面之上。在漂移区场氧的顶部形成有第四接触孔，第四接触孔位于栅极结构的第二侧和漂移区场氧的第二侧之间。第四接触孔插入到漂移区场氧内部，第四接触孔的顶部连接由正面金属层组成的电场调制电极。由第四接触孔组成电场屏蔽结构，以降低栅极结构的底部表面接触位置处的电场。本发明还公开了一种LDMOS器件的制造方法。本发明能对栅极结构的底部表面接触位置处的电场进行调制，从而降低栅极结构的底部表面接触位置处的电场，提高器件的耐压以及改善器件的热载流子效应，还具有不需要增加额外的光罩、工艺成本低的优点。

主权项：1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：第二导电类型的第一外延层，在所述第一外延层的选定区域中形成有第一导电类型的漂移区和第二导电类型的体区；所述漂移区和所述体区横向接触或隔离有距离；在所述漂移区的选定区域中形成有漂移区场氧；所述漂移区场氧的底部表面位于所述漂移区场氧外的所述漂移区的顶部表面之下；在所述体区的表面形成有栅极结构，所述栅极结构的第二侧还延伸到所述漂移区场氧的顶部表面之上；第一导电类型重掺杂的源区形成于所述体区的表面区域中且所述源区的第二侧和所述栅极结构的第一侧自对准；第一导电类型重掺杂的漏区形成于所述漂移区场氧的第二侧外的所述漂移区的表面区域中；在所述源区的顶部形成有源接触孔，所述源接触孔的顶部连接到由正面金属层组成的源极；在所述漏区的顶部形成有漏接触孔，所述漏接触孔的顶部连接到由正面金属层组成的漏极；在所述栅极结构的顶部形成有栅接触孔，所述栅接触孔的顶部连接到由正面金属层组成的栅极；在所述漂移区场氧的顶部形成有第四接触孔，所述第四接触孔位于所述栅极结构的第二侧和所述漂移区场氧的第二侧之间；所述源接触孔、所述漏接触孔、所述栅接触孔和所述第四接触孔都穿过层间膜，所述第四接触孔还插入到所述漂移区场氧内部，使所述第四接触孔的底部表面低于所述漂移区场氧外的所述漂移区的顶部表面，所述第四接触孔的顶部连接由正面金属层组成的电场调制电极；由所述第四接触孔组成电场屏蔽结构，以降低所述栅极结构的底部表面接触位置处的电场。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 LDMOS器件及其制造方法

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