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申请/专利权人：湖南大学
申请日：2024-05-06
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263327A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L23/552
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提出一种提升单粒子烧毁阈值的LDMOS器件，包括衬底P‑SUB和在衬底P‑SUB上部依次设置的第一P阱、第一N阱和第二P+注入区，第一P阱上设置有第一P+注入区和第一N+注入区，第一P+注入区和第一N+注入区之间设置有第一P‑柱注入区，第二P+注入区一侧设置有第二P‑柱注入区，在第一P‑柱注入区和第二P‑柱注入区尾部向其相向面方向延伸分别设置有第三埋层P‑BL和第四埋层P‑BL，第一P‑柱注入区与第三埋层P‑BL构成第一L型非子收集网区，第二P‑柱注入区与第四埋层P‑BL构成第二L型非子收集网区。本发明通过两个L型非子收集网区来新增泄放非平衡载流子的路径，新增第一P‑柱注入区来降低寄生基区的电阻，抑制LDMOS中寄生三极管发射结导通，提高LDMOS的单粒子烧毁阈值电压。
主权项：1.一种提升单粒子烧毁阈值的LDMOS器件，其特征在于，包括衬底P-SUB和在衬底P-SUB上部依次设置的第一P阱、第一N阱和第二P+注入区，第一P阱上设置有第一P+注入区和第一N+注入区，第一P+注入区和第一N+注入区之间设置有第一P-柱注入区，第二P+注入区一侧设置有第二P-柱注入区，在第一P-柱注入区和第二P-柱注入区尾部向其相向面方向延伸分别设置有第三埋层P-BL和第四埋层P-BL，第一P-柱注入区与第三埋层P-BL构成第一L型非子收集网区，第二P-柱注入区与第四埋层P-BL构成第二L型非子收集网区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南大学 一种提升单粒子烧毁阈值的LDMOS器件
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