申请/专利权人:华虹半导体(无锡)有限公司
申请日:2021-12-16
公开(公告)日:2022-04-05
公开(公告)号:CN114284273A
主分类号:H01L27/11517(20170101)
分类号:H01L27/11517(20170101);H01L21/66(20060101)
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2022.04.22#实质审查的生效;2022.04.05#公开
摘要:本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种基于自动反馈机制改善ETOX结构闪存中FG填充效果的方法,其包括:在ETOX结构闪存工艺中调整CD大小,实现了使CD处于控制范围内,确保实际profile有利于Ploy填充以改善其填充效果。
主权项:1.一种改善ETOX结构闪存中FG填充效果的方法,其特征在于,包括:在ETOX结构闪存工艺中调整CD大小。
全文数据:
权利要求:
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