龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：南亚科技股份有限公司
摘要：本公开提供一种半导体元件及其形成方法。该半导体元件包括形成于一半导体基板中的一源极区域和一漏极区域，以及形成于该源极区域之上的一位元线。该半导体元件也包括形成于该漏极区域之上的一第一磊晶结构，以及形成于该第一磊晶结构之上的一电容接触。该电容接触的一底表面高于该位元线的一底表面。
主权项：1.一种半导体元件，包括：一源极区域和一漏极区域，形成于一半导体基板中；一位元线，形成于该源极区域之上；一介电盖层，形成于该位元线之上；一第一磊晶结构，形成于该漏极区域之上，其中所述第一磊晶结构与所述漏极区域直接接触；以及一电容接触，形成于该第一磊晶结构之上，其中该电容接触的一底表面与该第一磊晶结构的顶表面直接接触，该第一磊晶结构的顶表面高于该位元线的一底表面，并且该电容接触的一顶表面与该介电盖层的一顶表面齐平；以及一第二磊晶结构，被该位元线覆盖，其中该第二磊晶结构穿透该源极区域，且其中该第一磊晶结构和该第二磊晶结构包括硅。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南亚科技股份有限公司 具有磊晶结构的半导体元件及其形成方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号