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申请/专利权人：美光科技公司
申请日：2021-08-18
公开（公告）日：2024-05-24
公开（公告）号：CN114076851B
主分类号：G01R27/26
分类号：G01R27/26;G01R31/28
优先权：["20200818 US 16/996,565"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.24#授权;2022.03.11#实质审查的生效;2022.02.22#公开
摘要：本申请案涉及用于检测TSV的寄生电容的测试电路。本文中公开一种包含第一半导体芯片及穿透所述第一半导体芯片的第一TSV的设备。所述第一半导体芯片包含耦合在第一电源与第一节点之间的第一电阻器、耦合在所述第一节点与所述第一TSV之间的开关电路、可操作地耦合到所述第一节点的衬垫电极及可操作地耦合到所述第一节点及所述衬垫电极中的任一者的恒定电流源。
主权项：1.一种设备，其包括：第一半导体芯片；及第一TSV，其穿透所述第一半导体芯片，其中所述第一半导体芯片包含：第一电阻器，其耦合在第一电源与第一节点之间；开关电路，其耦合在所述第一节点与所述第一TSV之间；衬垫电极，其可操作地耦合到所述第一节点；及恒定电流源，其可操作地耦合到所述第一节点及所述衬垫电极中的任一者。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 用于检测TSV的寄生电容的测试电路
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