申请/专利权人：合肥松豪电子科技有限公司

申请日：2021-09-06

公开（公告）日：2024-05-28

公开（公告）号：CN113760376B

主分类号：G06F9/4401

分类号：G06F9/4401;G06F9/30

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.28#授权;2021.12.24#实质审查的生效;2021.12.07#公开

摘要：本发明公开了一种TP芯片CPU在Eflash上同时运行且操作的方法，使用Eflash作为CPU的指令运行空间，通过配置使CPU核进入休眠状态，停止对Eflash的取指令操作，从而达到对Eflash的数据访问。本发明在Eflash做为TPIC的CPU指令运行空间的TPIC架构中通过配置使固件仍然能从Eflash中读取到模拟电路部分的LDO、OSC等训练的参数以及芯片的生产信息等，增加了设计的灵活度。

主权项：1.一种TP芯片CPU在Eflash上同时运行且操作的方法，其特征在于：使用Eflash作为CPU的指令运行空间，通过配置使CPU核进入休眠状态，停止对Eflash的取指令操作，从而达到对Eflash的数据访问；所述的通过配置使CPU核进入休眠状态，停止对Eflash的取指令操作，从而达到对Eflash的数据访问，具体如下：在固件运行在Eflash的时候通过系统控制将CPU取指令暂停并开始让TP芯片的内部模块从Eflash中读取数据并保存下来，等完成以后唤醒CPU，固件继续运行并从TP芯片的集成电路内部寄存器中读取从Eflash中获得的模拟电路部分的LDO、OSC的训练参数或者TP芯片的生产信息；当CPU在从Eflash进行取指令访问时，如果需要访问Eflash中存储的模拟电路部分的LDO、OSC的训练参数以及TP芯片的生产信息，按照如下步骤进行：（1）配置Eflash_Ctrl模块，配置访问Eflash的起始地址，配置访问Eflash的数据个数；（2）配置CLK_CTRL模块，关闭CPU_CLK；（3）配置MUX的使能信号，使之切换到CPU数据总线访问Eflash；（4）配置使CPU进入休眠；（5）Eflash_Ctrl模块按照步骤（1）配置的Eflash起始地址和访问Eflash的数据个数开始对Eflash进行访问；（6）当Eflash_Ctrl模块按照配置完成了对Eflash的数据访问，产生中断标志Read_Eflash_done_int开启CPU_CLK并唤醒CPU；步骤（5）所述的Eflash_Ctrl模块按照步骤（1）配置的Eflash起始地址和访问Eflash的数据个数开始对Eflash进行访问，具体如下：Eflash_Ctrl模块对Eflash访问根据访问的数据量多少配置数据存储的位置；Eflash_Ctrl模块内部定义了4个寄存器，寄存器的位宽等于Eflash的数据位宽；当访问Eflash的数据个数少于4个的时候，如果是读Eflash，则把从Eflash读回的数据写入到Eflash_ctrl模块的4个内部寄存器；如果是写Eflash，则从Eflash_ctrl模块的4个内部寄存器获取数据，并写入到Eflash中；当访问Eflash的数据个数大于4个的时候，如果是读Eflash，则把从Eflash读回的数据写入到CPU运行时的数据缓存空间data_ram；如果是写Eflash，则从数据缓存空间data_ram获取数据，并写入到Eflash中；其中，Eflash_Ctrl是Eflash存储设备的控制模块，用于CPU对Eflash进行数据访问时，把CPU的访问时序转换成Eflash需要的时序；CLK_CTRL为整个TPIC芯片的时钟控制模块；MUX是CPU对Eflash的取指令访问和数据访问的选择器。

全文数据：

权利要求：

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