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申请/专利权人：四川芯纳川科技有限公司
申请日：2020-09-22
公开（公告）日：2024-05-28
公开（公告）号：CN112188724B
主分类号：H05K1/02
分类号：H05K1/02;H05K1/05;H05K1/16;H05K3/06;H05K3/42
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.28#授权;2023.05.26#著录事项变更;2021.01.22#实质审查的生效;2021.01.05#公开
摘要：本发明涉及一种基于DBC覆铜板的IPD器件及其制作工艺，属于IPD器件技术领域。本发明的IPD器件包括衬底层和贯穿其中的衬底通孔，衬底层的正面和背面各有一层键合粘结层，分别为正面键合粘结层和背面键合粘结层，背面键合粘结层的背面覆有背层金属，正面键合粘结层上依次形成有最底层金属和上层金属，最底层金属和上层金属之间沉积有高介电常数介质层，上层金属上面覆有钝化层，本发明的制作工艺得到的IPD器件，具有良好的散热性，能够有效减小器件的损耗，降低制造成本。
主权项：1.一种基于DBC覆铜板的IPD器件，其特征在于，包括衬底层和贯穿其中的衬底通孔，所述衬底层的正面和背面各有一层键合粘结层，分别为正面键合粘结层和背面键合粘结层，所述背面键合粘结层的背面覆有背层金属，所述正面键合粘结层上依次形成有最底层金属和上层金属，所述最底层金属和上层金属之间沉积有高介电常数介质层，所述上层金属上面覆有钝化层；所述衬底层为高导热率的陶瓷层，厚度为100-800um；所述最底层金属内沉积有低介电常数介质层；所述最底层金属采用高导电金属，其厚度为10um-1mm；所述键合粘结层为一层尖晶石铝酸盐；所述背层金属采用高导电金属，厚度为10um-1mm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 四川芯纳川科技有限公司 一种基于DBC覆铜板的IPD器件及其制作工艺
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