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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2023-11-29
公开（公告）日：2024-05-31
公开（公告）号：CN118116441A
主分类号：G11C16/24
分类号：G11C16/24;H10B12/00
优先权：["20221130 KR 10-2022-0164498"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.05.31#公开
摘要：一种存储器件包括：存储单元阵列，包括与多条位线和字线中的每一条连接的多个存储单元；第一位线读出放大器，通过第一存储单元和第一连接布线电连接到第一位线；以及第二位线读出放大器，通过长度与第一连接布线的长度不同的第二连接布线电连接到第二位线。调整第一位线的第一补偿负载和第二位线的第二补偿负载以均衡第一位线和第二位线的RC负载。
主权项：1.一种存储器件，包括：存储单元阵列，包括与多条位线和多条字线连接的多个存储单元；第一位线读出放大器，通过所述多条位线之中的第一位线和具有第一长度的第一连接布线电连接到所述多个存储单元之中的第一存储单元；第一偏移补偿晶体管，电连接到所述第一位线和所述第一位线读出放大器；第二位线读出放大器，通过所述多条位线之中的第二位线和具有与所述第一长度不同的第二长度的第二连接布线电连接到所述多个存储单元之中的第二存储单元；以及第二偏移补偿晶体管，电连接到所述第二位线和所述第二位线读出放大器，其中，所述第一位线包括第一补偿负载并且第二位线包括第二补偿负载，以均衡所述第一位线和所述第二位线的RC负载。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 具有负载偏移失配补偿的存储器件
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