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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日：2020-05-29
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN113741142B
主分类号：G03F1/70
分类号：G03F1/70
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2021.12.21#实质审查的生效;2021.12.03#公开
摘要：本发明提供一种刻蚀偏移修正方法及系统和相关设备，所述方法包括：提供芯片设计版图；确定表征芯片设计版图中刻蚀偏移类别的多个特征图案；基于刻蚀偏移量的收敛特性，对生产制造的所述芯片产品中所述特征图案的刻蚀测量数据进行迭代分析，得到刻蚀偏移量的收敛值；采用所述刻蚀偏移量的收敛值，对所述特征图案的掩膜版图案进行修正。上述的方案，可以提高所得到的刻蚀偏移量的准确性，提高所形成的半导体结构的性能。
主权项：1.一种刻蚀偏移修正方法，其特征在于，包括：提供芯片设计版图；确定表征所述芯片设计版图中刻蚀偏移类别的多个特征图案；基于刻蚀偏移量的收敛特性，对生产制造的所述芯片产品中与所述特征图案对应的刻蚀测量数据进行迭代分析，得到对应的刻蚀偏移量的收敛值，包括：设置迭代次数变量n和连续次数变量m，并初始化n＝1，m＝0；基于执行第n-1次迭代得到的刻蚀偏移量误差，计算得到第n次生产制造所述芯片产品中所述特征图案对应的刻蚀偏移量；采用第n次生产制造所述芯片产品中所述特征图案对应的刻蚀偏移量，对所述特征图案对应的掩膜版图案进行修正；采用修正后的掩膜版图案执行第n次生产制造的所述芯片产品中所述特征图案的光刻，并执行刻蚀工艺；获取第n次生产制造的所述芯片产品中所述特征图案的刻蚀测量数据，并计算第n次生产制造的所述芯片产品中所述特征图案的刻蚀测量数据中刻蚀偏移量误差的平均值，作为执行第n次迭代得到的所述刻蚀偏移量误差；判断执行第n次迭代得到的所述刻蚀偏移量误差的绝对值是否为小于预设的第一阈值；当确定执行第n次迭代得到的所述刻蚀偏移量误差的绝对值小于所述第一阈值时，设置m＝m+1；判断m的数值是否大于或等于预设的第二阈值；当确定m的数值大于或等于所述第二阈值时，将采用执行第n次迭代得到的所述刻蚀偏移量误差，计算得到执行第n+1次迭代对应的刻蚀偏移量，作为对应的刻蚀偏移量的收敛值并输出；采用所述刻蚀偏移量的收敛值，对所述特征图案的掩膜版图案进行修正。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 刻蚀偏移修正方法及系统和相关设备
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