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半导体制程的误差补偿方法及误差补偿系统 

申请/专利权人:蔡适聪

申请日:2024-03-22

公开(公告)日:2024-06-25

公开(公告)号:CN118248674A

主分类号:H01L23/544

分类号:H01L23/544;G06T7/73;G06T7/00;H01L21/66

优先权:["20230329 TW 112112061"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.25#公开

摘要:一种半导体制程的误差补偿方法,包含一对位符号取得步骤、一对位误差取得步骤,及一温度调整步骤。该对位符号取得步骤是取得位于一基材的至少一对位符号alignmentmarkoroverlaymark,该对位误差取得步骤是将该至少一对位符号和与该至少一对位符号相应的预对位符号的检测信号进行比对,据以取得该至少一对位符号的对位误差检测结果,该温度调整步骤是依据该至少一对位符号的对位误差检测结果,对该基材的至少一局部范围进行温度调整或者后续的相同制程的基材的局部范围进行温度调整,以调整该至少一对位符号的相对位置。此外,本发明还提供一种用于该误差补偿方法的误差补偿系统。

主权项:1.一种半导体制程的误差补偿方法,包含:对位符号取得步骤,取得位于基材的至少一对位符号的检测信号;对位误差取得步骤,将所述至少一对位符号的检测信号与相应的至少一预对位符号的检测信号进行比对,据以取得所述至少一对位符号的对位误差检测结果;及温度调整步骤,依据所述至少一对位符号的对位误差检测结果产生相应的至少一温控参数,并依据所述至少一温控参数对所述基材的至少一局部范围进行温度调整,或将所述至少一温控参数反馈至后续相同制程的其它基材,以对所述其它基材的至少一局部范围进行温度调整。

全文数据:

权利要求:

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