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申请/专利权人：美光科技公司
申请日：2020-07-29
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN112786088B
主分类号：G11C11/4091
分类号：G11C11/4091;G11C11/4094;G11C11/408
优先权：["20191108 US 16/678,394"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.07#授权;2021.05.28#实质审查的生效;2021.05.11#公开
摘要：本发明揭示交叉耦合晶体管阈值电压失配补偿以及相关装置、系统及方法。一种设备包含交叉耦合晶体管对及补偿晶体管对。所述交叉耦合晶体管对包含第一晶体管及第二晶体管。所述第一晶体管的第一栅极耦合到第一位线，且所述第二晶体管的第二栅极耦合到第二位线。所述补偿晶体管对包含第三晶体管及第四晶体管。所述第三晶体管与所述第一晶体管串联耦合于所述第一晶体管的第一源极与共同源极线之间。所述第四晶体管与所述第二晶体管串联耦合于所述第二晶体管的第二源极与所述共同源极线之间。一种存储器装置包含感测放大器。一种计算系统包含所述存储器装置。
主权项：1.一种存储器设备，其包括：交叉耦合晶体管对，其包含第一晶体管及第二晶体管，所述第一晶体管的第一栅极可操作地耦合到第一位线且所述第二晶体管的第二栅极可操作地耦合到第二位线；及补偿晶体管对，其包含第三晶体管及第四晶体管，所述第三晶体管与所述第一晶体管可操作地串联耦合于所述第一晶体管的第一源极与共同源极线之间，所述第四晶体管与所述第二晶体管可操作地串联耦合于所述第二晶体管的第二源极与所述共同源极线之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 交叉耦合晶体管阈值电压失配补偿以及相关装置、系统及方法
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