申请/专利权人:昆明理工大学
申请日:2024-03-06
公开(公告)日:2024-05-31
公开(公告)号:CN118109734A
主分类号:C22C29/06
分类号:C22C29/06;C22C1/10
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.06.18#实质审查的生效;2024.05.31#公开
摘要:本发明公开了一种Ta,Nb,Hfx2C中熵碳化物陶瓷基复合材料,属于中熵碳化物陶瓷基复合材料技术领域。本发明通过真空电弧熔炼方法制备由M2C型三方结构碳化物基体,MC型面心立方碳化物和体心结构金属相组成的Ta,Nb,Hfx2C中熵碳化物陶瓷基复合材料,其组成元素Ta、Nb、Hf、C的原子比为1.0:1.0:x:2+x2,x=0.35‑0.55。所述中熵碳化物陶瓷基复合材料结构改善了Ta,Nb,Hfx2C中熵碳化物陶瓷基复合材料的致密度、断裂韧性和抗拉强度。
主权项:1.一种Ta,Nb,Hfx2C中熵碳化物陶瓷基复合材料,其特征在于,其组成元素Ta、Nb、Hf、C的原子比为1.0:1.0:x:2+x2,x=0.35-0.55,所述Ta,Nb,Hfx2C中熵碳化物陶瓷基复合材料由M2C型三方结构碳化物基体、MC型面心立方碳化物和体心结构金属相组成;所述Ta,Nb,Hfx2C中熵碳化物陶瓷基复合材料的制备方法包括如下步骤:1称取碳粉和钽粉、铌粉和铪粉,在研钵中均匀混合然后加压获得坯体;2将坯体放入真空电弧熔炼炉中抽真空,然后通入保护气体,采用钨针电流引弧,增加电流至合金元素熔至液态,保持160s~220s后关闭电流,冷却后得到铸锭;3将铸锭重复翻面重复步骤2重熔,得到Ta,Nb,Hfx2C中熵碳化物陶瓷基复合材料。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 昆明理工大学 一种(Ta,Nb,Hfx)2C中熵碳化物陶瓷基复合材料
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。