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申请/专利权人：微芯片技术股份有限公司
申请日：2018-10-30
公开（公告）日：2024-05-31
公开（公告）号：CN111052612B
主分类号：H03M1/10
分类号：H03M1/10;H03M1/46
优先权：["20171030 US 62/578,608","20181029 US 16/173,289"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.31#授权;2020.05.15#实质审查的生效;2020.04.21#公开
摘要：差分逐次逼近寄存器SAR模数转换器ADC中的偏移校正用电容器减小的数模转换器DAC拓扑实现，以实现偏移校正，而无需专用补偿DAC。这消除了附加的模拟电路和芯片面积。为了执行偏移校正，差分SARADC将其输入耦合到一起以产生偏移电压，将偏移电压转换成其数字表示，将偏移电压的数字表示存储在偏移寄存器中，并且通过利用由存储在偏移寄存器中的数字表示控制的电容器减小的阵列DAC产生偏移补偿电压来校正偏移电压。数字表示控制与差分SARADC的最低有效位LSB相关联的减小电容器阵列DAC的参考电压缩放。
主权项：1.一种用于使用减小的电容器阵列数模转换器（DAC）在逐次逼近寄存器（SAR）模数转换器（ADC）中进行偏移校正的方法，所述方法包括以下步骤：将SARADC的正输入和负输入耦合到一起；确定所述SARADC的偏移电压的数字表示；将所述偏移电压的所述数字表示存储在偏移寄存器中；用所述偏移电压的所存储的数字表示配置包括多个偏移校正电容器的减小的电容器阵列DAC以提供偏移校正电压；解耦所述SARADC的所述正输入和所述负输入；将差分电压耦合到所述SARADC的所述正输入和所述负输入；以及在与来自所述减小的电容器阵列DAC的所述偏移校正电压耦合的同时执行所述差分电压的SAR转换，其中所述多个偏移校正电容器包括N个正偏移校正电容器和N个负偏移校正电容器，所述N个正偏移校正电容器具有耦合到一起并形成节点Vx的顶板，所述N个负偏移校正电容器具有耦合在一起并形成节点Vy的顶板，其中N为所述减小的电容器阵列DAC的偏移电压校正位的数量，并且所述方法还包括：将所述N个正偏移校正电容器和所述N个负偏移校正电容器的底板选择性地耦合至共模电压Vcm、缩放的正参考电压Vrefp2m、或缩放的负参考电压Vrefn2m，其中m是正整数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 微芯片技术股份有限公司 用于具有减小的电容器阵列DAC的SAR ADC中的偏移校正的方法和装置
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