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申请/专利权人：深圳瑞识智能科技有限公司
申请日：2020-05-22
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN114450862B
主分类号：H01S5/183
分类号：H01S5/183
优先权：["20200402 US 63/004,359"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2022.05.24#实质审查的生效;2022.05.06#公开
摘要：底发射多结VCSEL阵列200、300、400包括第一反射器区域、多结有源区域101、201、301、401和第二反射器区域。多结VCSEL阵列200、300、400通过倒装芯片键合被附接至基座213、317、414。多结VCSEL阵列200、300、400还包括在第一反射器区域与基板204、305、405之间形成的接触层304、404。多结VCSEL阵列200、300、400通过倒装芯片键合被附接至基座213、317、414。
主权项：1.一种垂直腔面发射激光器（VCSEL）阵列设备，包括：基座；以及附接至所述基座的垂直腔面发射激光器阵列芯片，所述垂直腔面发射激光器阵列芯片包括：基板；以及在所述基板上方的第一芯片区域中形成的多个垂直腔面发射激光器结构，每个垂直腔面发射激光器结构包括：在所述基板上方形成的第一反射器区域；在所述第一反射器区域上方形成的包括多个多量子阱（MQW）有源区域的多结有源区域；所述多结有源区域包括N个多量子阱有源区域、N个氧化物层和N-1个隧道结结构；其中N是大于1的整数；还包括在所述第一反射器区域与所述基板之间形成的接触层，所述接触层被配置为用于垂直腔面发射激光器发射器的阴极电极的接触层；在所述多结有源区域上方形成的第二反射器区域；以及在所述第二反射器区域上方形成的焊盘金属层，使垂直腔面发射激光器结构分离的隔离沟槽，所述隔离沟槽在水平面中形成连接环每个连接环围绕垂直腔面发射激光器结构；所述隔离沟槽垂直地延伸穿过顶部反射器区域、多结有源区域，并且部分地穿过底部反射器区域；所述沟槽的底面暴露有所述接触层，在所述接触层的暴露部分上沉积有接触金属层，在接触金属层上沉积有焊盘金属层以填充沟槽并且用作阵列的阴极触点；其中，在所述垂直腔面发射激光器阵列芯片被附接至所述基座之后，所述焊盘金属层面向所述基座并且位于所述基板与所述基座之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳瑞识智能科技有限公司 底发射多结VCSEL阵列
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