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申请/专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日：2023-11-14
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN221225258U
主分类号：G02F1/1362
分类号：G02F1/1362;G02F1/1368
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权
摘要：本申请实施例公开了一种阵列基板、液晶显示面板，该阵列基板的子像素包括主像素区、次像素区、以及控制区，控制区设置有第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管，像素电极包括位于主像素区的第一像素电极、位于次像素区的第二像素电极，第一薄膜晶体管控制第一像素电极，第二薄膜晶体管控制第二像素电极，任一扫描线包括相互并联设置的第一走线、第二走线；通过将扫描线分为并联设置的第一走线、第二走线，第一走线、第二走线均与像素电极在膜厚方向上异层设置且存在重叠区域，增大了扫描线与像素电极的正对面积，从而增大了扫描线与像素电极之间的耦合电容，提升了充电率。
主权项：1.一种阵列基板，包括多条沿第一方向延伸的扫描线、多条沿第二方向延伸的数据线、以及多个子像素，所述第一方向与所述第二方向相交，其特征在于，所述子像素包括主像素区、次像素区、以及控制区，沿所述第一方向，所述主像素区与所述次像素区分别设置于所述数据线的两侧，在任一所述子像素内，所述控制区设置于相邻所述主像素区与所述次像素区之间；所述控制区内至少设置有第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管，所述子像素还包括像素电极，所述像素电极包括位于所述主像素区的第一像素电极、位于所述次像素区的第二像素电极，所述第一薄膜晶体管控制所述主像素区的所述第一像素电极，所述第二薄膜晶体管控制所述次像素区的所述第二像素电极；其中，任一所述扫描线包括相互并联设置的第一走线、第二走线，所述第一走线控制所述第一薄膜晶体管，所述第二走线控制所述第二薄膜晶体管，所述子像素位于相邻所述第一走线与所述第二走线之间，沿所述阵列基板的膜厚方向，所述第一走线与所述像素电极异层且重叠设置，所述第二走线与所述像素电极异层且重叠设置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板、液晶显示面板
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