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申请/专利权人：KOMICO有限公司
申请日：2018-07-17
公开（公告）日：2024-05-31
公开（公告）号：CN111344836B
主分类号：H01L21/28
分类号：H01L21/28;H01L21/288;H01L21/02;H01L21/285
优先权：["20171211 KR 10-2017-0169126"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.31#授权;2020.07.21#实质审查的生效;2020.06.26#公开
摘要：本发明涉及在铝或铝合金构件表面形成耐腐蚀性及绝缘特性优秀的阳极氧化膜的方法及形成有以该方法制造的阳极氧化膜的铝或铝合金构件，更详细而言，涉及一种无阳极氧化涂层内部缺陷地形成高硬度的氧化膜且耐腐蚀性及绝缘特性优秀的阳极氧化膜的形成方法及涂覆有以该方法制造的阳极氧化膜的半导体或显示器制造装置用内构件。
主权项：1.一种半导体或显示器制造装置的包含铝的构件的氧化膜形成方法，其中，包括：a步骤，混合硫酸、乙二酸及酒石酸而制造电解液的步骤；及b步骤，利用所述a步骤中制造的电解液，在铝或铝合金构件表面形成阳极氧化膜的步骤：在所述a步骤中，在所述电解液的浓度为1wt％至10wt％下，所述硫酸、乙二酸及酒石酸的含量的重量比为9～11：2.5～3.5：0.3～0.7，在所述b步骤中形成阳极氧化膜时，接入电流为0.8Adm2至1.7Adm2，其中，形成所述阳极氧化膜的时间为150分钟以上，在形成所述阳极氧化膜的方法中，同时满足所述电解液的含量比、所述接入电流以及所述形成时间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： KOMICO有限公司 耐腐蚀性及绝缘特性优秀的阳极氧化包含铝的构件及其的氧化膜形成方法
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