申请/专利权人：南京理工大学

申请日：2024-02-28

公开（公告）日：2024-06-04

公开（公告）号：CN118137160A

主分类号：H01Q15/00

分类号：H01Q15/00;H01Q1/36;H01Q1/50;G06T11/00;G06T7/62;G01N22/00;G01V3/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.06.21#实质审查的生效;2024.06.04#公开

摘要：本发明公开一种用于微波计算成像的二维频率捷变动态可调谐超表面，所述二维频率捷变动态可调谐超表面，为漏波波导馈电式结构，主要由多组谐振频点不一致的圆形互补电感电容complementaryelectric‑inductor‑capacitor,cELC单元构成，所述圆形cELC单元，由顶层谐振结构、第二层微波介质基板、第三层金属地结构、第四层辅助介质基板、第五层直流偏置电路和底层介质基板组成；所述二维频率捷变动态可调谐超表面天线，利用圆形cELC单元在不同频率以及不同开关状态下辐射模式的差异，可以产生多种低相关性的测量模式，进而可以用于压缩感知计算成像；通过合理地排布圆形cELC单元以及更改馈电方式，本发明所提的二维频率捷变动态可调谐超表面天线辐射效率在工作频段达到了78.4%~84.3%，可用于微波计算成像中回波信号信噪比的提高。

主权项：1.一种用于微波计算成像的二维频率捷变动态可调谐超表面，其特征在于，为漏波波导馈电式结构，包括多组谐振频点不一致的圆形cELC单元、梯形过渡微带线和50Ω匹配微带线，所述圆形cELC单元由顶层谐振结构、第二层微波介质基板、第三层金属地结构、第四层辅助介质基板、第五层直流偏置电路和底层介质基板组成，金属通孔H贯穿一到五层结构，使顶层谐振结构和直流偏置电路相连，其中：顶层谐振结构包括金属辐射结构、加载在金属辐射结构上的PIN二极管、环形狭缝S1、椭圆形狭缝S2以及金属通孔H，其中金属辐射结构是宽度为w，长度为d1的矩形微带线，以圆形cELC单元上表面中心为坐标原点，建立右手坐标系，以坐标原点为圆心，挖出一个宽度为Gap_1的环形狭缝S1，环形狭缝S1的外圆直径为R_O，在环形狭缝S1内部形成一个圆形金属结构；在y轴正半轴上找一点，以该点为圆心，r1为半径画圆，挖去它与圆形金属结构相交的那部分后，形成一个宽度为Gap_2的椭圆形狭缝S2，同理，在y轴负半轴，形成一个与之对称的椭圆形狭缝，再将两个PIN二极管置于这两个椭圆形狭缝中；在坐标原点处挖出一个直径为V_1的金属通孔H；第五层直流偏置电路包括扇形金属结构和直线金属结构，扇形金属结构以坐标原点为顶点，沿x轴负方向展开，其半径为r2，角度为θ；直线金属结构从坐标原点开始，沿x轴正方向延伸到第四层辅助介质基板的边界处，其宽度为b_l；在第五层直流偏置电路上与金属通孔H相应的位置打孔，使金属通孔H从孔中穿过。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京理工大学 一种用于微波计算成像的二维频率捷变动态可调谐超表面

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