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【发明公布】一种减少V-CUT过PTH半孔时产生披锋的制作方法_江门崇达电路技术有限公司_202410243017.3 

申请/专利权人:江门崇达电路技术有限公司

申请日:2024-03-04

公开(公告)日:2024-06-04

公开(公告)号:CN118139315A

主分类号:H05K3/42

分类号:H05K3/42;H05K3/00;H05K3/06;H05K3/28

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.06.21#实质审查的生效;2024.06.04#公开

摘要:本发明公开了一种减少V‑CUT过PTH半孔时产生披锋的制作方法,包括以下步骤:在生产板上钻出与V割线相交的通孔,通过沉铜和全板电镀使孔金属化,形成PTH孔;在生产板上贴膜,依次通过曝光、显影后形成外层线路图形,外层线路图形包括环绕PTH孔的孔环图形;且曝光时孔环图形中对应V割线的两个端点处进行曝光,显影后在两端点处形成外层覆膜区域;对生产板进行图形电镀;退膜后,对PTH孔进行锣半孔处理,形成PTH半孔;对生产板进行蚀刻,而后退锡;在生产板上制作阻焊层,而后在生产板上对应V割线的位置处进行V割,最后对生产板进行成型处理,制得线路板。本发明方法可避免V割过PTH半孔时产生铜刺,改善V‑CUT过PTH半孔板产品品质,提升产品良率。

主权项:1.一种减少V-CUT过PTH半孔时产生披锋的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、在生产板上钻出与V割线相交的通孔,而后通过沉铜和全板电镀使孔金属化,形成PTH孔;S2、在生产板上贴膜,而后依次通过曝光、显影后形成外层线路图形,外层线路图形包括环绕PTH孔的孔环图形;且曝光时孔环图形中对应V割线的两个端点处进行曝光,显影后在两端点处形成外层覆膜区域,外层覆膜区域的宽度≥V割线的宽度;S3、对生产板进行图形电镀,以在外层线路图形处依次加镀一层铜层和锡层;S4、退膜后,对PTH孔进行锣半孔处理,形成PTH半孔,锣半孔时的中线与V割线的中间重合;S5、对生产板进行蚀刻,去除外层线路图形以外的铜层,并去除外层覆膜区域处的铜层,以在孔环与V割线相交的两端处形成内凹的无铜区,而后退锡;S6、在生产板上制作阻焊层,而后在生产板上对应V割线的位置处进行V割,最后对生产板进行成型处理,制得线路板。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 江门崇达电路技术有限公司 一种减少V-CUT过PTH半孔时产生披锋的制作方法

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