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【发明公布】容性加载人工表面等离子体激元的慢波SIW滤波器_中国人民解放军战略支援部队信息工程大学_202410447332.8 

申请/专利权人:中国人民解放军战略支援部队信息工程大学

申请日:2024-04-15

公开(公告)日:2024-06-04

公开(公告)号:CN118137088A

主分类号:H01P1/20

分类号:H01P1/20

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.06.21#实质审查的生效;2024.06.04#公开

摘要:本发明涉及电磁场与微波技术领域,尤其涉及一种容性加载人工表面等离子体激元的慢波SIW滤波器,包含上层介质板和下层介质板,上层介质板的上表面覆有上层金属层,下层介质板的上表面覆有中间金属层,所述下层介质板的下表面覆有下层金属层;上层金属层、上层介质板、下层介质板和下层金属层在相同位置处设置有一排HMSIW金属化通孔,HMSIW金属柱贯穿各层HMSIW金属化通孔;所述上层金属层上与HMSIW金属化通孔相对设置有非对称互补型SSPPs结构;所述中间金属层为圆形金属贴片,所述下层介质板上设置有一排位于圆形金属贴片中心的金属通孔,金属盲柱贯穿金属通孔,所述金属盲柱与金属盲柱顶端的圆形金属贴片组成电容增强型SW结构。本发明实现滤波器小型化的应用需求。

主权项:1.一种容性加载人工表面等离子体激元的慢波SIW滤波器,其特征在于,为集成式五层结构器件,包含上层介质板和下层介质板,所述上层介质板的上表面覆有上层金属层,所述下层介质板的上表面覆有中间金属层,所述下层介质板的下表面覆有下层金属层;所述上层金属层、上层介质板、下层介质板和下层金属层在相同位置处设置有一排HMSIW金属化通孔,HMSIW金属柱贯穿各层HMSIW金属化通孔;所述上层金属层上与HMSIW金属化通孔相对设置有非对称互补型SSPPs结构;所述中间金属层为圆形金属贴片,所述下层介质板上设置有一排位于圆形金属贴片中心的金属通孔,金属盲柱贯穿金属通孔,所述金属盲柱与金属盲柱顶端的圆形金属贴片组成电容增强型SW结构。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学 容性加载人工表面等离子体激元的慢波SIW滤波器

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