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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日：2022-12-05
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118151495A
主分类号：G03F7/20
分类号：G03F7/20
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.07#公开
摘要：本发明公开了一种OPC光刻模型参数优化方法，首先运用随机方向搜索法快速找到镜头光学焦点BF和偏移焦点DS多个局部极小点附近的初步参数次优组合，再针对这些次优参数组合采用精确搜索法最终获得镜头光学焦点BF和偏移焦点DS最优参数组合，随机方向搜索法搜索与精确搜索法相结合，无需人为设定初始搜索点即能快速找出最优参数解，且算法收敛速度快，鲁棒性强，可以快速、准确地获得OPC光刻模型建模过程中镜头光学焦点BF和偏移焦点DS等参数。
主权项：1.一种OPC光刻模型参数优化方法，其特征在于，设置参数设置模块、随机方向法模块及精确搜索法模块；所述参数设置模块，用于设置光刻模型的目标函数Ju及参数约束条件和收敛条件；所述随机方向法模块，运用随机方向搜索法找到OPC光刻模型中的镜头光学焦点BF和偏移焦点DS的多个局部极小点附近的初步参数次优组合；所述精确搜索法模块，针对所述随机方向法模块找到的所述次优参数组合，采用精确搜索法最终获得OPC光刻模型的镜头光学焦点BF和偏移焦点DS最优参数组合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 OPC光刻模型参数优化方法
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