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申请/专利权人：西安电子科技大学
申请日：2024-02-02
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118156252A
主分类号：H01L23/544
分类号：H01L23/544;H01L29/778
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.25#实质审查的生效;2024.06.07#公开
摘要：本发明涉及一种用于提取异质结纳米沟道载流子密度与迁移率的器件结构，包括：从下至上依次层叠设置的衬底层和第一缓冲层；沿第一方向对称设置在第一缓冲层上表面两端的第一电极区域结构和第二电极区域结构；沿第二方向对称设置在第一缓冲层上表面两侧的四个霍尔电极结构；设置在第一缓冲层上的纳米沟道霍尔测试阵列结构；设置在纳米沟道霍尔测试阵列结构上的栅电极。本发明降低了对纳米沟道霍尔测试的高光刻精度要求，简化了工艺；并且实现了纳米沟道的霍尔测试以及栅控下纳米沟道的霍尔测试；解决了CV法中界面态充放电引起的测量不准确的问题，能够实现纳米沟道中载流子面密度与迁移率的精确提取。
主权项：1.一种用于提取异质结纳米沟道载流子密度与迁移率的器件结构，其特征在于，所述器件结构包括：从下至上依次层叠设置的衬底层和第一缓冲层；沿第一方向对称设置在所述第一缓冲层上表面两端的第一电极区域结构和第二电极区域结构；沿第二方向对称设置在所述第一缓冲层上表面两侧的四个霍尔电极结构，其中，所述第一方向与所述第二方向相互垂直；纳米沟道霍尔测试阵列结构，设置在所述第一缓冲层的上表面，所述纳米沟道霍尔测试阵列结构设置在所述第一电极区域结构、所述第二电极区域结构和所述四个霍尔电极结构围绕形成的区域之间，且所述纳米沟道霍尔测试阵列结构的侧面分别与第一电极区域结构、第二电极区域结构和所述四个霍尔电极结构的侧面接触；栅电极，设置在所述纳米沟道霍尔测试阵列结构上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种用于提取异质结纳米沟道载流子密度与迁移率的器件结构
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