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申请/专利权人：华南理工大学
申请日：2024-04-10
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118169102A
主分类号：G01N21/65
分类号：G01N21/65;G01R31/26
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.28#实质审查的生效;2024.06.11#公开
摘要：本发明公开了一种有机半导体器件中少数载流子空间分布的测试方法，包括以下步骤：将有机半导体器件与半导体分析仪连接，利用显微镜物镜对焦有机半导体器件；关闭显微镜光源，采用标准光谱采集模式，设置拉曼光谱仪激光参数和半导体分析仪参数；运行半导体分析仪，利用拉曼光谱仪的激光对有机半导体器件沟道进行局部辐照，使有机半导体器件沟道局部降解；辐照完成激光关闭，停止运行半导体分析仪，更换物镜并对焦有机半导体器件沟道，采用数据采集模式，选取成像范围，重设激光参数和半导体分析仪参数；运行半导体分析仪，电流时间曲线稳定后，拉曼光谱仪开始采集拉曼图谱；重复多次采集拉曼图谱，观察有机半导体器件中少数载流子生成和扩散情况。
主权项：1.一种有机半导体器件中少数载流子空间分布的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.将有机半导体器件与半导体分析仪连接，利用显微镜物镜对焦有机半导体器件，使物镜中心与有机半导体器件沟道中心重合；S2.关闭显微镜的白光光源，拉曼光谱仪设置为标准光谱采集模式，设置拉曼光谱仪的激光参数和半导体分析仪的参数；S3.运行半导体分析仪，利用拉曼光谱仪的激光对有机半导体器件沟道进行局部辐照，使有机半导体器件沟道局部降解；S4.辐照完成激光关闭，停止运行半导体分析仪，更换物镜并对焦有机半导体器件沟道，拉曼光谱仪设置为数据采集模式，选取成像范围，重设激光参数和半导体分析仪参数；S5.运行半导体分析仪，电流时间曲线稳定后，拉曼光谱仪开始采集拉曼图谱，激光束在有机半导体器件所在平面移动；S6.拉曼光谱仪扫描结束，停止运行半导体分析仪，重复多次采集拉曼图谱，观察有机半导体器件中少数载流子生成和扩散情况。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华南理工大学 有机半导体器件中少数载流子空间分布的测试方法
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