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申请/专利权人：材料科学姑苏实验室
申请日：2022-12-05
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118159122A
主分类号：H10N70/20
分类号：H10N70/20
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.07#公开
摘要：本发明中首次将新型热敏材料锰钴镍氧应用于忆阻器件的阻变层中，制作了三明治结构+蓝宝石基底的RRAM器件。锰钴镍氧材料，是一种以Mn、Co、Ni过渡族金属为主的尖晶石结构材料，它具有电阻随温度上升而逐渐下降即负温度系数的材料特性，同时材料结构稳定、工作温度范围广，所制备的器件非常适应极端条件下的使用，且具有较高的准确度以及灵敏度。本发明所制备的忆阻器能够实现在较小的电压刺激下打开，同时具有制备简单、薄膜应力小、灵敏度高、高低阻态稳定性好、与CMOS工艺兼容等优点，非常适合工业化生产。
主权项：1.一种基于锰钴镍氧的新型忆阻器及其制备方法，属于微电子技术领域。本发明特征在于：为三明治结构+蓝宝石基底的RRAM，从上到下依次为顶部电极、阻变层、底部电极、基底；采用溅射或者电子束蒸发制备金属顶电极，采用磁控溅射制备锰钴镍氧阻变层，采用磁控溅射沉积制备ITO底电极，采用蓝宝石非晶Al2O3作为基底。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 材料科学姑苏实验室 一种基于锰钴镍氧的新型忆阻器及其制备方法
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