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申请/专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日：2022-12-06
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118156289A
主分类号：H01L29/40
分类号：H01L29/40;H01L29/778;H01L21/335
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.07#公开
摘要：本发明公开了一种晶体管及其制备方法。晶体管包括衬底，晶体管还包括设置于衬底一侧的漏电极、源电极以及布置于源电极与漏电极之间的栅电极和场板结构；栅电极与场板结构之间设置有第一介质层；第一介质层具有凹槽、位于栅电极与漏电极之间的第一非凹槽部和位于栅电极与源电极之间的第二非凹槽部；栅电极与第一介质层接触的部分包括靠近漏电极的第一侧壁、顶壁以及靠近源电极的第二侧壁；凹槽在衬底上的垂直投影，覆盖第一侧壁在衬底上的垂直投影；场板结构填充凹槽，且覆盖部分第一非凹槽部。本发明能够降低晶体管状态切换时栅源电容的变化率，同时保证晶体管具有较好的带宽特性。
主权项：1.一种晶体管，其特征在于，所述晶体管包括衬底，所述晶体管还包括设置于所述衬底一侧的漏电极、源电极以及布置于所述源电极与所述漏电极之间的栅电极和场板结构；沿所述晶体管的厚度方向，所述栅电极与所述场板结构之间设置有第一介质层；所述第一介质层具有凹槽，所述第一介质层未设置所述凹槽部分包括位于所述栅电极与所述漏电极之间的第一非凹槽部和位于所述栅电极与所述源电极之间的第二非凹槽部；所述栅电极与所述第一介质层接触的部分包括靠近所述漏电极的第一侧壁、顶壁以及靠近所述源电极的第二侧壁；所述凹槽在所述衬底上的垂直投影，覆盖所述第一侧壁在所述衬底上的垂直投影；所述场板结构填充所述凹槽，且覆盖部分所述第一非凹槽部。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州能讯高能半导体有限公司 晶体管及其制备方法
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