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申请/专利权人：成都芯源系统有限公司
摘要：公开了一种包含晶体管单元的半导体器件及其相关制备方法。所述半导体器件包括形成在具有第一导电类型的衬底上的第一源区、第一侧壁体区、栅区、第二源区以及连接区。所述第一源区和所述第二源区为第一导电类型，同时所述第一侧壁体区和所述连接区为与第一导电类型相反的第二导电类型。所述连接区和所述栅区分别置于所述第一源区的第一侧和第二侧。所述第一侧壁体区置于所述第一源区的下方。本发明公开的半导体器件具有低导通电阻、高击穿电压以及良好的耐高压能力。
主权项：1.一种半导体器件，包括：具有第一导电类型的衬底，所述衬底具有第一表面；具有第一导电类型的第一源区，置于临近靠近衬底第二表面的部分区域中，所述第二表面与第一表面相对；具有第二导电类型的第一侧壁体区，置于第一源区的下方，所述第二导电类型与第一导电类型相反；栅区，置于临近靠近第一源区的部分区域；具有第一导电类型的第二源区，置于所述第一侧壁体区的下方；以及具有第二导电类型的连接区，置于所述栅区的空间相对处，且连接区的一部分垂直向下延伸至比所述第二源区更深的衬底中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都芯源系统有限公司 包含晶体管单元的半导体器件及其相关制备方法
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