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申请/专利权人：乐金显示有限公司
摘要：提供了一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括薄膜晶体管的显示装置。薄膜晶体管包括：基础基板；在基础基板上的半导体层，该半导体层包括第一氧化物半导体层和在第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层，第二氧化物半导体层的霍尔迁移率小于第一氧化物半导体层的霍尔迁移率；及栅极，与半导体层间隔开并与半导体层部分地交叠，其中，关于原子数，与总金属元素相比，所述第二氧化物半导体层包括40原子百分比或更多的镓Ga，其中，所述薄膜晶体管还包括位于所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层之间的第一混合区域，其中，所述第一混合区域的厚度大于0且为3nm或更小。
主权项：1.一种薄膜晶体管，包括：基础基板；在所述基础基板上的半导体层，所述半导体层包括第一氧化物半导体层及在所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层，所述第二氧化物半导体层的霍尔迁移率小于所述第一氧化物半导体层的霍尔迁移率；及栅极，与所述半导体层间隔开并与所述半导体层部分地交叠，其中，关于原子数，与总金属元素相比，所述第二氧化物半导体层包括40原子百分比或更多的镓Ga，其中，所述薄膜晶体管还包括位于所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层之间的第一混合区域，其中，所述第一混合区域的厚度大于0且为3nm或更小。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 乐金显示有限公司 薄膜晶体管及其制造方法以及包括薄膜晶体管的显示装置
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