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申请/专利权人：芯联集成电路制造股份有限公司
申请日：2024-03-25
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118197990A
主分类号：H01L21/762
分类号：H01L21/762;H01L23/373;H01L29/06
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明提供了一种SOI器件及其制备方法，包括：提供SOI衬底，SOI衬底包括由下至上依次堆叠的衬底层、绝缘埋氧层和顶半导体层，其中衬底层和绝缘埋氧层之间形成有富陷阱层；刻蚀顶半导体层和绝缘埋氧层形成隔离沟槽，隔离沟槽的底部暴露出富陷阱层；形成导热层覆盖隔离沟槽的底部和侧壁，使得导热层与富陷阱层、绝缘埋氧层和顶半导体层接触；以及，形成介质层填充隔离沟槽，导热层的热导率大于介质层的热导率。本发明能够改善SOI衬底散热，提高SOI器件的可靠性。
主权项：1.一种SOI器件的制备方法，其特征在于，包括：提供SOI衬底，所述SOI衬底包括由下至上依次堆叠的衬底层、绝缘埋氧层和顶半导体层，其中所述衬底层和所述绝缘埋氧层之间形成有富陷阱层；刻蚀所述顶半导体层和所述绝缘埋氧层形成隔离沟槽，所述隔离沟槽的底部暴露出所述富陷阱层；形成导热层覆盖所述隔离沟槽的底部和侧壁，使得所述导热层与所述富陷阱层、所述绝缘埋氧层和所述顶半导体层接触；以及，形成介质层填充所述隔离沟槽，所述导热层的热导率大于所述介质层的热导率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯联集成电路制造股份有限公司 SOI器件及其制备方法
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