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申请/专利权人：华为技术有限公司
申请日：2021-12-06
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118202472A
主分类号：H01L29/786
分类号：H01L29/786;H10B53/30;H10B12/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本申请提供了一种晶体管装置及其制备方法、电子器件。该晶体管装置包括衬底结构以及设置于衬底结构上的沟道层、第一电极和电极结构；第一电极与电极结构隔离；电极结构包括沿第一方向排布的至少两个电极层，任意两个相邻的电极层之间电隔离，第一方向垂直于衬底结构；沿第一方向，至少两个电极层包括交替排布的至少一个源极和至少一个漏极；当源极和漏极均为至少两个，任意两个源极之间电连接，任意两个漏极之间电连接；沟道层位于第一电极与电极结构之间，且沟道层与任意一个电极层接触。该晶体管装置在不增加器件单元面积的基础上，通过增加电极层可以获得多个等效沟道，提高整个晶体管装置的有效沟道宽度以提高器件的输出电流。
主权项：一种晶体管装置，其特征在于，包括：衬底结构以及设置于所述衬底结构上的沟道层、第一电极和电极结构；所述电极结构包括沿第一方向排布的至少两个电极层，任意两个相邻的所述电极层之间电隔离，所述第一方向垂直于所述衬底结构；沿所述第一方向，所述至少两个电极层包括交替排布的至少一个源极和至少一个漏极；当所述源极为至少两个，任意两个所述源极之间电连接；当所述漏极为至少两个，任意两个所述漏极之间电连接；所述沟道层位于所述第一电极与所述电极结构之间，且所述沟道层与任意一个所述电极层接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华为技术有限公司 晶体管装置及其制备方法、电子器件
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