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申请/专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日：2023-12-14
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118228651A
主分类号：G06F30/3308
分类号：G06F30/3308;G06F30/337
优先权：["20221219 JP 2022-201921"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：EMI仿真的准确度被提高。一种电子器件的制造方法是包括衬底和被安装在衬底上的半导体器件的电子器件的制造方法。电子器件的制造方法包括：步骤a，准备电源模型，该电源模型包括在被包括在电子器件中的电源路径上的阻抗信息；步骤b，测量在操作电子器件时的电源噪声；步骤c，基于电源噪声和电源模型来计算半导体器件内的电源电流；以及步骤d，基于电源电流和电源模型来模拟EMI电磁干扰特性。
主权项：1.一种电子器件的制造方法，所述电子器件包括衬底和被安装在所述衬底上的半导体器件，所述制造方法包括以下步骤：a准备电源模型，该电源模型包括在所述电子器件中所包括的电源路径上的阻抗信息；b测量在操作所述电子器件时所述衬底上的电源噪声；c基于所述电源噪声和所述电源模型，计算所述半导体器件内的电源电流；以及d基于所述电源电流和所述电源模型，模拟电磁干扰EMI特性。
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