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申请/专利权人：尼克森微电子股份有限公司;帅群微电子股份有限公司
申请日：2022-12-07
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118156135A
主分类号：H01L21/336
分类号：H01L21/336;H01L21/329;H01L29/78;H01L29/872;H01L27/06
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.07#公开
摘要：本发明公开一种功率元件，包括电基板、外延复合层、多个栅极、钝化层、导电体、漏极及场板。电基板具有第一表面、外延漂移层及多个掺杂区，多个掺杂区位于第一表面下方。外延复合层位于电基板上。栅极位于外延复合层上。钝化层覆盖栅极及外延复合层。导电体贯穿钝化层及外延复合层，且延伸至掺杂面，导电体的宽距大于间隔。漏极贯穿钝化层且延伸至外延层。场板位于钝化层上，遮盖栅极且电性连接导电体。
主权项：1.一种功率元件的制作方法，其特征在于，所述功率元件的制作方法包括：提供一电基板，其具有一第一表面及相对的一第二表面，以及一电极层位于所述第二表面上；所述电基板具有一外延漂移层，所述外延漂移层使用一第一导电掺杂物做掺杂；对所述第一表面掺杂一第二导电掺杂物，以形成多个掺杂区，相邻二所述掺杂区之间具有一间隔，所述第一导电掺杂物与所述第二导电掺杂物的电性相反；形成一外延复合层于所述电基板上，所述外延复合层包括一外延层；设置多个栅极在所述外延复合层上，每一所述栅极由一第一导电材料制成；形成一钝化层，所述钝化层覆盖多个所述栅极以及所述外延复合层；开设一第一沟渠，所述第一沟渠自所述钝化层的表面延伸至所述第一表面，所述第一沟渠具有一第一端口及一第二端口，所述第一端口位于二相邻的所述栅极之间，所述第二端口位于所述间隔的上方，所述第二端口的一宽距大于所述间隔；填充一第二导电材料于所述第一沟渠中，在所述第一端口形成一源极接点，在所述第二端口形成一萧特基位障接点；开设一第二沟渠，所述第二沟渠自所述钝化层的表面延伸至所述外延层的表面；填充一第三导电材料于所述第二沟渠中以形成一漏极；以及设置一场板于所述钝化层上，所述场板遮罩所述栅极及所述源极接点，且电性连接所述源极接点。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 尼克森微电子股份有限公司;帅群微电子股份有限公司 功率元件及其制作方法
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