申请/专利权人：罗伯特·博世有限公司

申请日：2023-12-14

公开（公告）日：2024-06-14

公开（公告）号：CN118198023A

主分类号：H01L23/495

分类号：H01L23/495;H01L23/31;H01L23/498;H01L21/48

优先权：["20221214 DE 102022213634.9"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.14#公开

摘要：本发明涉及一种功率模块，具有第一电路载体，其上侧上构造具有两个内部接触区域的第一和第二导体结构，第一半导体开关与第二半导体开关的第一功率连接端分别布置在两个内部接触区域上且被接通，第一半导体开关的第二功率连接端与第二导体结构的共同第三内部接触区域接通，第二半导体开关的第二功率连接端分别与第三导体结构的共同内部接触区域接通，至少两个其他电路载体在空间上平行地布置在第一电路载体上方，分别具有内部接触区域，第一和第二半导体开关的控制连接端在其上接通，和能够与外部控制电路电连接的外部接触区域，电路载体分别实施为条形柔性电路板且布置在第一电路载体的对置的边缘上。涉及一种用于制造这样的功率模块的方法。

主权项：1.一种功率模块1，所述功率模块具有第一电路载体10，所述第一电路载体具有电绝缘层12，在所述电绝缘层的上侧上构造有至少一个第一导体结构14和至少一个第二导体结构16，所述第一导体结构具有两个内部接触区域14.1A，14.1B，所述两个内部接触区域相对于中心纵轴线MLA镜面对称地布置，至少一个第一半导体开关HS1至HS4的第一功率连接端34A分别布置在所述两个内部接触区域上并且被接通，所述第二导体结构具有两个内部接触区域16.1A，16.1B，所述两个内部接触区域相对于所述中心纵轴线MLA镜面对称地布置，至少一个第二半导体开关LS1至LS4的第一功率连接端34A分别布置在所述两个内部接触区域上并且被接通，其中，所述第一半导体开关HS1至HS4的第二功率连接端34B分别与所述至少一个第二导体结构16的共同的第三内部接触区域16.1C接通，所述共同的第三内部接触区域布置在所述至少一个第一导体结构14的第一内部接触区域14.1A与第二内部接触区域14.1B之间，其中，所述第二半导体开关LS1至LS4的第二功率连接端34B分别与至少一个第三导体结构18的共同的内部接触区域18.1接通，所述共同的内部接触区域布置在所述至少一个第二导体结构16的第一内部接触区域16.1A与第二内部接触区域16.1B之间，其中，至少两个另外的电路载体20在空间上平行地布置在所述第一电路载体10上方，并且分别具有至少一个内部接触区域22且分别具有至少一个外部接触区域24，在所述至少一个内部接触区域上，所述第一和第二半导体开关HS1至HS4，LS1至LS4的控制连接端32是接通的，所述至少一个外部接触区域能够与外部控制电路电连接，并且其中，所述至少两个另外的电路载体20分别实施为条形柔性电路板并且布置在所述第一电路载体10的对置的边缘上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 罗伯特·博世有限公司 功率模块和用于制造功率模块的方法

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