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申请/专利权人：西安工程大学
申请日：2023-11-20
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118151269A
主分类号：G02B3/00
分类号：G02B3/00;H01L31/0216;H01L31/0232;H01L31/102;H01L31/18
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.25#实质审查的生效;2024.06.07#公开
摘要：本发明公开的在硅光电倍增管表面制作自成形自对准微透镜阵列的方法，包括：在硅光电倍增管本体表面沉积金属薄膜层；通过光刻对准工艺形成要对金属薄膜层开窗口的光刻胶图形，窗口与硅光电倍增管本体的G‑APD单元光敏区一一对应且中心对齐；通过刻蚀工艺对金属薄膜层刻蚀形成网孔结构；在网孔结构上涂抹一层对透明绝缘封装介质不浸润的涂层；向网孔结构上表面滴入液态透明绝缘封装介质，使得每个网孔结构内液态透明绝缘封装介质的下表面向下形成凸面；固化得到位于硅光电倍增管表面的微透镜阵列。本发明解决了现有的将光子汇聚到SiPM芯片内G‑APD单元光敏区的方法成本高、耦合对准步骤繁琐的问题。
主权项：1.在硅光电倍增管表面制作自成形自对准微透镜阵列的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在硅光电倍增管本体表面沉积金属薄膜层；步骤2、通过光刻对准工艺形成要对金属薄膜层开窗口的光刻胶图形，窗口与硅光电倍增管本体的G-APD单元光敏区一一对应且中心对齐；步骤3、通过刻蚀工艺对金属薄膜层刻蚀形成网孔结构；步骤4、在网孔结构上涂抹一层对透明绝缘封装介质不浸润的涂层；步骤5、向网孔结构上表面滴入液态透明绝缘封装介质，使得每个网孔结构内液态透明绝缘封装介质的下表面向下形成凸面；步骤6、固化得到位于硅光电倍增管表面的微透镜阵列。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安工程大学 在硅光电倍增管表面制作自成形自对准微透镜阵列的方法
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