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【发明公布】碳化硅单晶的制造方法及碳化硅单晶_株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社_202311632803.4 

申请/专利权人:株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社

申请日:2023-12-01

公开(公告)日:2024-06-07

公开(公告)号:CN118147753A

主分类号:C30B29/36

分类号:C30B29/36;C30B25/14;C30B25/16

优先权:["20221206 JP 2022-195054"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.06.25#实质审查的生效;2024.06.07#公开

摘要:碳化硅单晶6的制造方法包括下述工序:在构成反应室的中空形状的加热容器9内配置晶种5的工序;和将上述反应室加热并且向上述晶种的表面供给包含碳化硅原料气体的供给气体3a,从而使碳化硅单晶6在上述晶种的表面上生长的工序。在使上述碳化硅单晶生长的工序中,将上述碳化硅原料气体的流量控制为目标流量,并且将成为上述加热容器的内部压力的上述供给气体的总压控制为40kPa以上而使上述碳化硅单晶生长。

主权项:1.一种碳化硅单晶的制造方法,其是碳化硅单晶6的制造方法,包括下述工序:在构成反应室的中空形状的加热容器9内配置晶种5的工序;和通过将所述反应室加热,并且向所述晶种的表面供给包含碳化硅原料气体的供给气体3a,从而使碳化硅单晶6在所述晶种的表面上生长的工序,在使所述碳化硅单晶生长的工序中,将所述碳化硅原料气体的流量控制为目标流量,并且将成为所述加热容器的内部压力的所述供给气体的总压控制为40kPa以上而使所述碳化硅单晶生长。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社 碳化硅单晶的制造方法及碳化硅单晶

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