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申请/专利权人：四川省珏源祥半导体技术有限公司
申请日：2024-02-28
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118207636A
主分类号：C30B35/00
分类号：C30B35/00;C30B29/36
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本发明公开了一种碳化硅半导体生产用的单晶炉，涉及半导体材料生产技术领域，包括单晶炉组件，单晶炉组件内腔周侧侧壁上安装有加热组件，单晶炉组件内腔中安装有盛设组件，单晶炉组件底部安装有用于进行缓冲和减震作用的缓冲减震组件。本发明通过盛设筒、进水管、排水管和连接孔等结构间的配合设置，使用时，通过进水管将清水输送至盛设筒内腔中，使传动管的中间段浸泡在冷水中，对盛设组件的中间段进行降温，并将温度升高后的清水通过排水管排出，采用循环的冷却水对传动管的中间段进行降温，尽量避免了现有单晶炉在通过石墨加热器进行加热时，热量容易沿传动管直接传输至电机上，导致电机温度过高，严重影响电机的使用寿命的问题。
主权项：1.一种碳化硅半导体生产用的单晶炉，包括单晶炉组件1，其特征在于，所述单晶炉组件1内腔周侧侧壁上安装有加热组件2，所述单晶炉组件1内腔中安装有盛设组件3，所述单晶炉组件1底部安装有用于进行缓冲和减震作用的缓冲减震组件4，所述缓冲减震组件4上方的所述盛设组件3上安装有水冷组件5，所述水冷组件5包括盛设筒501，所述盛设筒501内部中空，所述盛设筒501两侧侧壁上均开设有与所述盛设筒501内部相连通的连接孔503，其中一侧的所述连接孔503内部穿设有进水管504，另一侧的所述连接孔503内部穿设有排水管505，所述进水管504和所述排水管505均与所述盛设筒501侧壁固定连接，所述进水管504远离所述盛设筒501的一端与外部进水管道相连通，所述排水管505远离所述盛设筒501的一端与外部排水管道相连通。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 四川省珏源祥半导体技术有限公司 一种碳化硅半导体生产用的单晶炉
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